赛晶IGBT研发系列报道（一）——不忘初心
发布时间：2019-12-25
起源
誓师
今天的中国，正处于在战略转型的关键期和决战期，电动汽车、新能源、轨道交通、智能电网、海洋工程、前沿物理研究等一大批决定中国未来的关键技术、战略新兴产业的突破和发展，都离不开IGBT - 这项关键功率半导体器件的支撑和助力。然而至今，中国自主IGBT技术仍然远落后于国外，亟待取得突破，为国家的发展保驾护航。
时势造英雄，当仁不让。
今天的赛晶，已经成为了功率半导体及其配套器件国产化自主研发的先锋。国内首台自主技术阳极饱和电抗器、大功率电力电子电容器，国际领先的数字式IGBT驱动、层叠母排、固态交直流断路器、脉冲电源、阻抗测量等一大批高新技术产品，是赛晶坚持“研发驱动发展”战略而收获的丰硕成果。
今天的赛晶，已拥有国际一流的技术研发实力。赛晶已经建立了国内三大研发中心、海外三大研发团队的研发体系。其中，海外IGBT研发团队的成员，均来自欧洲一流企业，不仅掌握国际最先进的技术理念，也拥有国内稀缺的大规模制造工艺和经验。可以说，IGBT研发，赛晶是“站在巨人的肩膀上”起步。
不忘初心，方得始终。
今天，终于到了项颉和赛晶去实现梦想的时刻。我们有信心、有决心研发出属于中国自己的高端IGBT技术和产品，让那一颗梦想的种子，开出最灿烂的花朵，结出最丰硕的果实。