德国纽伦堡，2025年5月6日——全球电力电子行业年度盛会PCIM Europe 2025在德国纽伦堡展览中心盛大开幕。作为中国功率半导体领域的领军企业，赛晶半导体携多款前沿产品及解决方案亮相展会（展位号：Hall 7, Booth 479），展示了其在碳化硅（SiC）、IGBT及功率模块领域的最新突破，引发行业高度关注。

聚焦创新：重磅产品与技术全球首发

m23 1400V 100A SiC MOSFET芯片

本届展会上，赛晶半导体首次向全球发布了一款核心产品，即：m23 1400V 100A SiC MOSFET芯片，彰显其强劲的技术研发实力：

在光伏和储能领域，SiC（碳化硅）半导体技术因其独特的材料特性，在高压、高频、高温应用中展现出显著优势。1400V SiC器件能够更可靠地应用于光伏、储能2000V系统的高压场景，提高系统功率密度及能量转换效率，降低系统成本。

1400V SiC技术通过高效率、高压耐受性、高温稳定性等优势，成为推动光伏和储能2000V系统发展的关键。随着成本下降和国产化加速，SiC将进一步赋能高压系统的降本增效，并在可再生能源领域占据更核心的地位。

展会现场，赛晶还展示了m23 1200V,100A SiC power MOSFET芯片、i23 1200V, 150A-300A micro pattern lGBT 300mm芯片、i23 1700V, 300A micro pattern lGBT 200mm芯片、i20 1200V 100A-250A fine pattern IGBT 300mm芯片以及其他模块系列产品，吸引众多国内外客户驻足交流。

技术对话：共谋能源转型新路径

展会同期，赛晶半导体的四位技术专家受邀出席高峰论坛，各自向与会者分享了自己最新研发成果：

Sven Matthias

论文标题：

《面向62mm功率模块的自动化优化设计：性能与可靠性提升》

"Automation-Optimized Design for 62mm Power Modules: Enhanced Performance and Reliability"

核心内容：

本文针对经典的 62 mm IGBT 模块提出了一种超紧凑基板设计和自动化友好型组装工艺，从而提高了电气性能和可靠性。该设计通过在三维空间实施栅极轨道，最大限度地减少了栅极连接空间，从而最大限度地扩大了功率器件的空间。紧凑的集成实现了 Ls = 10 nH 的低内部杂散电感，并降低了连接电阻。这种方法提高了功率密度，同时改善了制造自动化并确保了稳健的电气连接。结构和电气特性测试证实了模块的完整性和可靠性，功率循环和开关性能测试则验证了模块的大电流处理能力。所提出的设计大大提高了性能和制造效率，使其成为下一代电力电子器件的有力候选者。

（原文：This paper presents an ultra-compact substrate design and automation-friendly assembly process for classic 62 mm IGBT modules, improving electrical performance and reliability. The design minimizes space for gate connections by implementing gate tracks in the third dimension, maximizing space for power devices. The compact integration achieves a low internal stray inductance of Ls=10nH, and reduced connection resistance. This approach enhances power density while improving manufacturing automation and ensuring robust electrical connections. Structural and electrical characterization confirms the module’s integrity and reliability, and power cycling and switching performance tests validate its high-current handling capabilities. The proposed design significantly enhances performance and manufacturing efficiency, making it a strong candidate for next-generation power electronics. ）

Nick Gilles Schneider

论文标题：

《采用新型微沟槽栅IGBT的900A 1200V ED模块：局部载流子限制控制技术》

"900 A 1200 V ED Module with New Micro pattern Trench lGBT Featuring Local Carrier Confinement Control"

核心内容：

新型SwissSEM 900A/1200V ED型模块采用了具有先进电流密度的微沟槽IGBT芯片组。相较于上一代产品，该模块在关断损耗相近的情况下，将集射极饱和电压（VCE,sat）降低了近400mV。文中提出了微沟槽IGBT的局部载流子限制控制技术（LCT），并通过实验验证了其优势。反向续流二极管经过优化，在恢复损耗不变的情况下，正向压降（VF）降低了250mV。此外，二极管与IGBT均展现出极高的鲁棒性，并具有优异的开关软特性。

（原文：In this paper, the new SwissSEM 900 A,1200 V ED-type module featuring a micropattern IGBT chipset with state-of-the-art current density is introduced. The new module offers almost 400 mV reduction in VCE,sat at similar turn-off losses compared to the previous generation. The concept of local carrier confinement control for micropattern trench IGBTs (LCT) is introduced, and the benefits are shown experimentally. The auxiliary diode is optimized and improved by 250 mV in VF at the same recovery losses. Additionally,both the diode and IGBT are extremely rugged and show excellent switching softness.）

Nick在展会现场发布报告

此外，Raffael Schnell和Roger Stark也分别以《搭载i23微沟槽栅芯片组的高性能IGBT模块》和《基于应用场景运行温度的SiC MOSFET单元布局优化》为主题，分享了其最新技术成果，与会专家对赛晶半导体的技术创新表示高度认可，

PCIM Europe 2025不仅是技术展示的平台，更是推动全球能源转型的加速器。赛晶半导体通过前沿产品发布与技术成果分享，再次印证了其在功率半导体领域的领导地位。未来，公司将持续深耕碳化硅与IGBT技术，推动国产半导体高端化进程，并与全球合作伙伴共建绿色能源生态，助力“双碳”目标实现。