i23系列芯片组采用微沟槽栅IGBT技术，具有更低的饱和压降（Vce(sat)）和更高的电流密度，同时可以降低开关损耗，符合业界最高的可靠性标准和要求。d23系列芯片具有更低的正向导通压降和反向恢复损耗。i23芯片和d23芯片的配合使用，能够有效使得模块的性能提升，并保证模块的可靠性。

i23芯片特点

• 采用微沟槽IGBT技术，实现超低开关损耗（Eon + Eoff）

• 额定电流高达300A，适用于1200V/1700V电压等级

• 具备宽Rg范围内的软关断可控性，适用于广泛的应用场景

• 高短路承受能力（ISC）

• 正温度系数

• 良好的电流均衡特性，易于多器件并联使用

d23芯片特点

• 1200V：先进发射极效率设计

• 1700V：准局部寿命控制（QLC）设计

• 超低正向压降（Vf）与低反向恢复损耗（Erec），同时保持软恢复特性

• 正温度系数

• i23 IGBT 和d23二极管芯片组优化匹配

竞争优势

• 具有深厚研发经验团队设计的国产IGBT和二极管芯片组

• i23和d23芯片组的开发，使得两者性能匹配更佳，并保证配合应用模块的可靠性

应用领域

• 1500V集中式光伏逆变器

• 集中式储能变流器

• 商用车电驱

• 变频器

• 逆变焊机

• 牵引辅助电源

• 大功率电源，如UPS等

• 变频电源

i23系列微沟槽栅IGBT芯片，电压为1200V和1700V产品，现已量产。

欢迎广大客户访问赛晶亚太半导体公司网站 https://www.swiss-sem.com/，查阅详情、索取样品。