i23系列 1200V 1000A/1100A IGBT模块采用经典ED封装，超精细微沟槽栅技术下的i23芯片赋予模块超低损耗Eon+Eoff，1200V/1000A 产品搭配加强型Si3N4 绝缘陶瓷覆铜基板，有效增强了模块出流能力。1200V/1100A产品在此基础上增加Pinfin散热底板，实现最低最低热阻的同时进一步提升了出流能力，为大功率、高功率密度、高可靠性的光伏、储能和商用车领域带来全新的解决方案。

产品型号

• SISD1000ED120i23

• SISD1100ED120i23P

产品特点

• i23超低损耗微沟槽栅IGBT芯片组

• 加强 Si3N4 绝缘陶瓷覆铜基板

• 低热阻铜底板

• 行业标准封装，低内部阻抗

• 实现最低热阻的针柱散热底板

• 可选择压接式信号引脚

应用领域

• 光伏逆变器

• 储能PCS

• 商用车

• 变频器

• 电焊机

• UPS

1200V 1000A/1100A ED封装IGBT模块，现已量产。欢迎广大客户访问赛晶半导体公司网站 https://www.swiss-sem.com/，查阅详情、索取样品。