2025 年 11 月 7 日，第四届中国电力电子与能量转换大会暨展览会、中国电源学会第二十八届学术年会（CPEEC & CPSSC 2025）在深圳国际会展中心拉开帷幕。继去年西安展会收获行业高度认可后，赛晶半导体作为电力电子与储能领域的标杆企业，再次以白金伙伴身份深度参与本次盛会，展出覆盖芯片到模块的完整矩阵。焦点包括：1200V和今年首发的1400V SiC芯片、全新TF封装IGBT模块、先进的8英寸SiC芯片、单管产品封装展示、无刷电机应用方案和6英寸SiC 晶圆，为观众带来一站式的技术体验，以 “技术创新适配产业需求” 的鲜明姿态，深度融入深圳科创生态。

作为中国电源领域规模最大的年度盛会，本届大会落地深圳呈现出 “国际视野 + 产业落地” 的鲜明特色——140 余家领军企业齐聚于此，“新能源汽车电子器件” 专区与 IEEE 国际研讨会同期联动，吸引超 5000 人次专业观众到场。赛晶半导体展台前始终人流涌动，其展示的 HEEV 封装 SiC 模块、ED封装IGBT、ST封装IGBT模块和i23 芯片组等明星产品，精准契合了在新能源汽车、储能、工控和充电等领域的技术需求。

在展会同期举办的论坛，技术支持兼市场部总监马先奎先生带来报告《构网型储能变流器功率模块选型探讨》，立足新型电力系统构建的宏观背景，深入剖析构网型储能技术在能源转型中的核心地位 —— 其不仅是保障电网稳定运行的关键支撑，更是推动可再生能源大规模消纳的重要纽带。功率模块需要兼顾“既要性能好，又要价格低，还要可靠性高”的需求。

基于此需求，赛晶半导体推出新一代微沟槽栅IGBT模块（i23），以降低模块损耗，提高输出电流能力。同时他还提出希望构网型储能变流器的相关技术标准尽快出台，以满足储能市场快速增长的需求，并推动储能市场有序发展。

为应对高过载带来的结温升高、损耗加大等问题，功率模块需在芯片技术、封装设计和散热材料等方面实现全面升级。新一代i23芯片组采用微沟槽栅结构与软恢复二极管，有效降低导通与开关损耗；铜线绑定、DBC优化设计与直接水冷封装等技术，则显著提升模块的电流输出与散热能力。

作为行业代表企业之一，赛晶半导体推出适用于集中式与组串式储能变流器的多款功率模块，包括1200V ED系列与FP封装模块，覆盖ANPC、NPC等主流拓扑结构，具备低杂散电感、高短路耐量及优良的散热性能，可满足不同功率等级的构网型PCS应用需求。

马先奎先生凭借专业的行业洞察与生动的案例分享，引发了现场嘉宾、专家学者及企业代表的广泛共鸣，互动交流热烈，充分彰显了行业对该技术方向的高度关注与赛晶半导体对专业领域的持续思考和专注。

值得庆贺的是，凭借演讲内容的专业性、实用性和对行业的理解与思考，《构网型储能变流器功率模块选型探讨》一文脱颖而出，马先奎先生荣获工业报告分会场优秀报告人，这一荣誉不仅是对马先奎先生专业能力的高度认可，更是对赛晶半导体在电力电子与储能技术研发领域持续深耕的肯定。

从西安的技术发声到深圳的产业对接，赛晶半导体的参展轨迹与我国电力电子产业布局同频共振。在绿色能源转型的浪潮中，赛晶正以开放的姿态，与行业伙伴共绘新型电力系统建设的蓝图！